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高低温试验箱 交变湿热可程式高温低温箱
产品名称 高低温交变湿热试验箱 一、产品用途 产品适用于考察 电工电子产品、元器件、零部件及其材料在不同温湿度条件下,其耐潮湿能力,还可以作为在高低温环境下储存、运输和使用的适应性试验。 二、产品规格(单位:mm) 三、技术参数 1.温度范围:-70℃~150℃(E)面议2023-04-27 -
高低温交变湿热试验箱 温度循环测试箱
技术参数 1.温度范围:-20℃~150℃(A)、-30℃~150℃(B)、-40℃~150℃(C)、-60℃~150℃(D)、-70℃~150℃(E) 2.湿度范围:30%~98%R.H(温度在25℃~95℃) 3.温度均匀度:≤±2℃ (空载时) 4.湿度均匀度:+2% -3%R.H 5.温度波动度:≤±0.5℃ (空载时) 6.湿度波动度:±2% 7面议2023-04-27 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围:-40℃~150℃(D) 2.湿度范围:30%~98%R.H(温度在25℃~95℃) 3.温度均匀度:≤±2℃ (空载时) 4.湿度均匀度:+2% -3%R.H 5.温度波动度:≤±0.5℃ (空载时) 6.湿度波动度:±2% 7.温度偏差:≤±2℃ 8.湿度偏差:≤±2% 9.降温速率:0.7~1.0℃/min面议2023-04-27 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围:-40℃~150℃(D) 2.湿度范围:30%~98%R.H(温度在25℃~95℃) 3.温度均匀度:≤±2℃ (空载时) 4.湿度均匀度:+2% -3%R.H 5.温度波动度:≤±0.5℃ (空载时) 6.湿度波动度:±2% 7.温度偏差:≤±2℃ 8.湿度偏差:≤±2% 9.降温速率:0.7~1.0℃/min面议2023-04-27 -
换气老化箱试验设备 高温热空气试验箱
技术参数 1.温度范围:室温+10℃~200℃;或室温+10℃~300℃; 2.温度波动度:±1℃ (空载时); 3.升温速率: 3~5℃/min; 4.试验定时范围:1~9999(s、m、h)可调; 5.换气时间:1~99(s、m、h)可调; 6.换气量:3~10次/小时、50~100次/小时、 100~200次/小时(订面议2023-04-27 -
爱斯ACE干热灭菌生物指示剂价格,干热灭菌指示剂
干热灭菌生物指示剂H6302K由枯草杆菌黑色变种芽孢(ATCC9372)菌片(载体为玻璃纤维,耐高温)密封在玻璃管内的生物指示剂。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。使用方法 1.将菌片放入干热灭菌器或者干热灭菌设备162022-04-12 -
爱斯ACE干热灭菌指示剂,长春爱斯ACE干热灭菌生物指示剂报价
剂。菌片含菌量为1×106~5×106cfu/片。D值为1.3~1.9分钟。在温度为160℃±2℃的条件下,存活时间≥3.9分钟,杀灭时间≤19分钟。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。使用方法 1.将菌片放入干热灭菌器或者干热灭菌设162022-04-09
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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。合肥面议2024-04-26 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和合肥面议2024-04-26 -
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量合肥面议2024-04-26 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应:太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管,合肥面议2024-04-26 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和合肥面议2024-04-26 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优合肥面议2024-04-26 -
功率器件分析仪igbt模块测试机
功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键合肥面议2024-04-26 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量,测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线,并可记录存档。 S系列源表+上位机软件合肥面议2024-04-26 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时,通常面临如下挑战:测试环境影响、连接合肥面议2024-04-26 -
晶体管iv图示仪分立器件检测仪
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,是一种半导体器件,放大器或电控开关常用;包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模合肥面议2024-04-26 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势: 十ms级的上升沿和下降沿; 单台最大3500V的输出; 0.1%测试精度; 同步电流或电压测量; 支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询一八一四零六六三四七六; 部分参数 最大输出功率:350W,3500V合肥面议2024-04-26 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试;SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助合肥面议2024-04-26 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六合肥面议2024-04-26
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