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包河仪器/仪表信息
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恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围:-40℃~150℃(D) 2.湿度范围:30%~98%R.H(温度在25℃~95℃) 3.温度均匀度:≤±2℃ (空载时) 4.湿度均匀度:+2% -3%R.H 5.温度波动度:≤±0.5℃ (空载时) 6.湿度波动度:±2% 7.温度偏差:≤±2℃ 8.湿度偏差:≤±2% 9.降温速率:0.7~1.0℃/min面议2023-04-27 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围:-40℃~150℃(D) 2.湿度范围:30%~98%R.H(温度在25℃~95℃) 3.温度均匀度:≤±2℃ (空载时) 4.湿度均匀度:+2% -3%R.H 5.温度波动度:≤±0.5℃ (空载时) 6.湿度波动度:±2% 7.温度偏差:≤±2℃ 8.湿度偏差:≤±2% 9.降温速率:0.7~1.0℃/min面议2023-04-27
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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。包河面议2024-04-26 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和包河面议2024-04-26 -
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量包河面议2024-04-26 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应:太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管,包河面议2024-04-26 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和包河面议2024-04-26 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优包河面议2024-04-26 -
功率器件分析仪igbt模块测试机
功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键包河面议2024-04-26 -
大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪
普赛斯大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率包河面议2024-04-26 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量,测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线,并可记录存档。 S系列源表+上位机软件包河面议2024-04-26 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时,通常面临如下挑战:测试环境影响、连接包河面议2024-04-26 -
晶体管iv图示仪分立器件检测仪
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,是一种半导体器件,放大器或电控开关常用;包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模包河面议2024-04-26 -
半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪
SPA-6100半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研包河面议2024-04-26 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势: 十ms级的上升沿和下降沿; 单台最大3500V的输出; 0.1%测试精度; 同步电流或电压测量; 支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询一八一四零六六三四七六; 部分参数 最大输出功率:350W,3500V包河面议2024-04-26 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试;SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助包河面议2024-04-26 -
霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大电流特性、极快包河面议2024-04-26 -
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%包河面议2024-04-26 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表,厂家直销,服务完善,详询一八一四零六六三四七六;PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的,触摸显示屏全图形化操作,高灵敏度宽带光功率检测,内置LIV测试软件加速用户完成测试,具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流包河面议2024-04-26 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六包河面议2024-04-26
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